ASME 2347-2001 焊接施工用Ni-Cr-Mo-B-V调制钢.第VIII节,第1部分;已作废:补充件6

时间:2024-05-20 01:14:24 来源: 标准资料网 作者:标准资料网 阅读:8717
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【英文标准名称】:Ni-Cr-Mo-B-VQuenchedandTemperedSteelforWeldedConstructionSectionVIII,Division1;ANNULLED:SUPP6
【原文标准名称】:焊接施工用Ni-Cr-Mo-B-V调制钢.第VIII节,第1部分;已作废:补充件6
【标准号】:ASME2347-2001
【标准状态】:现行
【国别】:美国
【发布日期】:2001-01-01
【实施或试行日期】:
【发布单位】:美国机械工程师协会(US-ASME)
【起草单位】:
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:
【英文主题词】:
【摘要】:Ni-Cr-Mo-B-VQuenchedandTemperedSteelforWeldedConstructionSectionVIII,Division1;ANNULLED:SUPP6
【中国标准分类号】:H60
【国际标准分类号】:
【页数】:
【正文语种】:英语


基本信息
标准名称:半导体分立器件 GP、GT和GCT级3DG182型NPN硅小功率高反压晶体管详细规范
英文名称:Semiconductor discrete device-Detail specification for NPN silicon low-power high-reverse-voltage transistor for type 3DG182 GP,GT and GCT classes
中标分类: 综合 >> 标准化管理与一般规定 >> 技术管理
发布部门:中国电子工业总公司
发布日期:1992-02-01
实施日期:1992-05-01
首发日期:1900-01-01
作废日期:1900-01-01
提出单位:中国电子工业总公司科技质量局
归口单位:中国电子技术标准化研究所
起草单位:中国电子技术标准化研究所和国营八二三一厂
起草人:王长福、龚云、葛毅妮
出版社:电子工业出版社
出版日期:1992-04-01
页数:11页
适用范围

本规范规定了3DG130型NPN硅高频小功率晶体管(以下简称器件)的详细要求。该种器件按GJB33-85《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。

前言

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引用标准

GB 4587-1984 双极型晶体管测试方法
GB 7581-1987 半导体分立器件外形尺寸
GJB 33-1985 半导体分立器件总规范
GJB 128-1986 半导体分立器件试验方法

所属分类: 综合 标准化管理与一般规定 技术管理
【英文标准名称】:ReproductionofDINStandardsforeducationalpurposes
【原文标准名称】:教学用DIN标准复制
【标准号】:DINMerkblatt4-2003
【标准状态】:作废
【国别】:德国
【发布日期】:2003-01
【实施或试行日期】:
【发布单位】:德国标准化学会(DIN)
【起草单位】:
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:标准;允许;教学辅助器材;德国标准化学会;工作程序;成本;讲授;誊印;DIN标准;版权;法律;教学材料;执照;价目单
【英文主题词】:teachingaids;law;tariffs;teaching;standards;costs;copyright;teachingmaterials;din;permission;duplicating;dinstandards;licences;workingprocedures
【摘要】:
【中国标准分类号】:A00
【国际标准分类号】:01_120;03_140
【页数】:2P;A4
【正文语种】:德语